刘俊杰博士及东莞市茂扬科技股份有限公司简介

刘俊杰博士及东莞市茂扬科技股份有限公司简介

 

刘俊杰博士简介:

刘俊杰,男,1954年出生,教授、博导,主要从事集成电路和半导体器件研究,专注新型存储器建模、结构仿真研究,是国际上新型存储器件建模、射频半导体器件建模和抗静电领域的权威专家。现任美国中佛罗里达大学飞马奖杰出教授(教授最高殊荣),国家教育部长江学者, 2010年中组部“千人计划”专家,东莞市创新团队“新型高速低功耗非易失铁电储存器研发与产业化”团队带头人。担任IEEE Fellow,英国工程技术学会FellowIEEE Electron Devices Society全球副主席,主持过100多次微电子领域IEEE国际会议。在半导体领域国际权威期刊《Microelectronics Reliability》任主编,《IEEE Simulation Journal》任副主编,《IEEE Proceeding》任编辑,《IEEE Electron Device Letter》任编辑等。还担任美国模拟器件Fellow,新加坡制造技术研究院FellowIntersil公司可靠性首席顾问,在德州仪器、美国国家半导体、台积电等多家半导体公司做技术顾问。

刘俊杰教授获得美国联邦机构、政府和半导体企业共1000多万美元的科研经费支持,包括:美国国家自然科学基金、美国标准局、美国国家航空航天局和多家著名半导体公司。牵头组建了美国佛罗里达大学集成电路可靠性重点实验室、固体电子实验室和洛克希德·马丁综合教育中心。

刘俊杰教授于2008年在美国佛罗里达州创建了EMoat LLC公司,致力于新型存储器模型建立,先进商用工艺线器件模型提取,创新性地研制基于各种铁电材料的新型存储器,在TSMCGlobal Foundry等工艺线上完成了铁电存储器的工艺融合,已开发出铁电存储器样品。

刘俊杰教授设计出世界上最先进最高级别的ESD芯片,抗静电达17000V;早在2004年就为Intel公司设计出世界上第一个65nm CPU内嵌RF CMOSESD电路;为美国国家半导体公司设计的功率DMOS阵列芯片已大批量生产;由他构建的世界上第一个精确器件模型,已成功地应用于新型存储器结构设计、模拟仿真和可靠性设计,在512Kbit铁电存储器产品研制中得到成功应用。

刘俊杰教授申请美国发明专利8项,其中授权7项。出版专著9部。SCI收录论文229篇,他人引用879次,会议论文198篇。他获得了国际IEEE杰出成就奖、杰出教育奖、杰出讲座等和美国政府杰出青年科学家奖等10多个奖项。

他带领核心团队,在铁电存储单元建模、工艺融合、产品开发和可靠性方面取得了重大技术突破,重点解决了在严苛和高电磁干扰环境下的铁电存储器的失效问题(因ESD失效占芯片总失效的59%,是制约产品上市和提高质量等级的重要因素),研制出具有国际竞争力的高速低功耗非易失铁电存储器产品,并将其实现产业化,重点应用于新能源汽车、消费类电子、通信、物联网和云计算等新型电子信息领域。

 

东莞市茂扬科技股份有限公司简介:

东莞市茂扬科技股份有限公司(茂扬科技)成立于20108月,注册资本金1000万元,座落于东莞市松山湖高新技术产业园区,是东莞电子科技大学电子信息工程研究院孵化的高科技公司,是以新型电子信息产业为先导的集成电路设计企业。与大学、研究所结合形成产学研创新模式,和集成电路产业链上下游有着密切合作。从公司创立之初,就聘请了中科院院士沈绪榜先生作为总顾问,从战略高度制定了以新型存储器为主,绿色电源管理、汽车电子芯片为辅的中长期发展路线图,确定了引进世界一流创新团队的近期目标。沈绪榜院士长期从事电子信息科学技术研究。在微电子技术、计算机技术、嵌入式计算机系统、航天计算机等领域取得了重大的创新成果。获得国家科技技术特等奖1项,国家科学技术进步三等奖3项,出版7 部专著;论文80 余篇。目前正在进行时空计算的自然统一研究。 倡导嵌入式设计在物联网、云计算中的应用,特别是对铁电存储器的研发及产业化给予高度关注。